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    何谓flash存储器 通过JTAG口对DSP外部Flash存储器的在线编程

    来源:站轩范文网 时间:2018-08-25
    摘要:采用一种简单可行的方法,在TI公司TMS320C6XDSP集成开发环境CCS2.0下,通过JTAG口实现对DSP外部Flash可擦写存储器的在线编程;将用户数据文件烧写到DSP的外部Flash中,并在TMS320C6711DSP板上多次测试通过。
      关键词:嵌入式系统DSPFlashJTAG在线编程CCS2.0
      
      引言
      
      在采用TI数字信号处理器(DSP)的嵌放式硬件系统开发完成,软件也有CCS2.0集成开发环境下仿真测试通过后,怎样将编译、链接后生成的可执行文件(.Out),经过转换后的十六进制文件(.Hex)写入硬件系统的Flash存储器中,让系统脱机运行,这是许多DSP开发人员及初学者遇到并需要解决的问题。
      
      从JTAG接口对DSP外部Flash的编程方法不只一种。本文以TMS320C6711-150DSK板为例,介绍“在线仿真状态下”对Flash的编程。
      
      1Flash存储器的擦除
      
      Flash编程之前,应对Flash进行擦除,使其每个数据位都恢复为1状态,即全FF状态。对Flash的擦除操作需要6个总线周期,总线时序如图1。
      
      从图1可知,各总线周期的操作为:
      
      第一总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H;
      
      第二总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H;
      
      第三总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据80H;
      
      第四总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据AAH;
      
      第五总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H;
      
      第六总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据10H。
      
      完成上述操作后,Flash存储器被完全擦除,内部数据恢复为初始状态,全为FFH。
      
      在TMS320C6711中,用C语言完成上述操作为:
      
      voiderase_flash()
      
      {
      
      *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x00aa;
      
      *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR2=0x0055;
      
      *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x0080;
      
      *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x00aa;
      
      *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR2=0x0055;
      
      *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x0010;
      
      }
      
      在TMS320C6711系统中,Flash所在地址段为CE1空间,其开始地址为0x90000000。这样,其中的FLASH_ADR1、FLASH_ADR2在头文件中被定义为:
      
      #defineFLA

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